- Alimentation à haute fréquence
- Des gaz de procédé peuvent être introduits
- vide
- gravure
- Essai de durabilité du plasma.
- Formation de couches minces
- hydrofuge
- Peinture et placage
- Adhésion et collage
- Culture et soins dentaires
- Nettoyage et stérilisation
- à titre expérimental
- pour la production
Avec mécanisme de chauffage par gravure au plasma CPE-200AHM
Décapage rapide et efficace du SiO2 et du Si et calcination des matières organiques par chauffage.
Aperçu du produit
■ Nouvelle série d'appareils de gravure au plasma CPE avec chauffage par étage.
■Chauffage jusqu'à 400°C
■ Temps de traitement réduit, tests d'endurance accélérés
■ Fonctionnement facile grâce à l'écran tactile (unité de contrôle du plasma).
■Régulation de température de haute précision par contrôle PID
Spécification (technique)
Nom de l'équipement Graveur au plasma avec mécanisme de chauffage
type CPE-200AHM
dimensions extérieures W560mm×D690mm×H1650mm
(stade de l'électrode) Diamètre200mm
plage d'irradiation
réglage de la sortie (puissance)
Chauffage de l'étage Température maximale 400℃
Introduction du gaz 2 systèmes
Source d'alimentation Monophasé 200V, 30A
Fonction