- Nguồn cao tần RF
- Chân không
- Có thể dùng khí quy trình
- Khắc / Etching
- Kiểm tra độ bền plasma
- Tạo màng mỏng
- Xử lý kị nước
- Sơn phủ / Mạ
- Nuôi cấy tế bào / Y tế nha khoa
- Kết dính / Bám dính
- Làm sạch / Khử khuẩn
- Dành cho R&D
- Dành cho sản xuất
Máy plasma khắc (etcher) có tích hợp gia nhiệt CPE-200AHM
Khắc khô các lớp SiO₂ (etching), Si và phân hủy (ashing) các hợp chất hữu cơ với tốc độ cao và hiệu quả cao nhờ chức năng gia nhiệt.
Tổng quan sản phẩm
• Dòng thiết bị Plasma Etcher CPE nay có thêm phiên bản tích hợp gia nhiệt ở bệ mẫu (điện cực)
• Có thể gia nhiệt lên đến tối đa 400℃
• Rút ngắn thời gian xử lý, thích hợp cho thử nghiệm tăng tốc độ bền
• Vận hành đơn giản qua bảng điều khiển cảm ứng
• Điều khiển nhiệt độ chính xác cao nhờ PID control
Thông số kỹ thuật
• Tên thiết bị: Máy plasma etcher có tích hợp gia nhiệt
• Mã sản phẩm: CPE-200AHM
• Kích thước ngoài: Rộng 560 mm × Sâu 690 mm × Cao 1650 mm
• Bệ mẫu (điện cực): Đường kính 200 mm
• Bệ gia nhiệt: Nhiệt độ tối đa 400℃
• Hệ thống cấp khí: 2 kênh
• Nguồn điện: 1 pha 200 V, 30 A