Tạo màng mỏng

Thiết bị plasma CVD an toàn đầu tiên trong ngành, tạo màng trực tiếp từ nguyên liệu dạng lỏng.

Khắc khô các lớp SiO₂ (etching), Si và phân hủy (ashing) các hợp chất hữu cơ với tốc độ cao và hiệu quả cao nhờ chức năng gia nhiệt.

• Tạo màng mỏng có độ đồng đều cao (có thể đạt đến vài micromet).
• Phun phủ ở nhiệt độ phòng và áp suất khí quyển, không cần môi trường chân không hay nhiệt độ cao.
• Không làm bẩn tấm mask, dễ dàng bảo trì.

• Phương pháp phủ tạo màng mỏng bằng cách nhúng vật liệu nền vào dung dịch và kéo lên, lớp màng sẽ hình thành trên bề mặt.
• Độ dày màng có thể điều chỉnh tùy theo tốc độ kéo lên.
• Có thể phủ lên cả vật liệu có bề mặt gồ ghề.
• Không cần dùng thùng chứa chuyên dụng nên dễ bảo trì.
• Hỗ trợ kích thước đặt hàng theo yêu cầu.
• Vì quy trình diễn ra trong lòng thùng chứa nên lượng dung dịch lãng phí là rất ít.

• Từ cuộn cấp đến cuộn thu, toàn bộ dây chuyền đều nằm trong bộ phận xử lý.
• Dễ dàng cài đặt quy trình mong muốn
• Hỗ trợ kích thước tuỳ chỉnh theo yêu cầu
• Có thể tuỳ chỉnh tốc độ và lực căng, mang lại tính linh hoạt cao trong quá trình xử lý

• Có thể dễ dàng lưu hình ảnh và dữ liệu góc tiếp xúc vào máy tính đi kèm.
• Dung tích giọt có thể được điều khiển từ 0.1 μL.
• Hỗ trợ lưu cả hình ảnh tĩnh và video.

Tạo tính ưa nước cho PTFE (Teflon), xử lý chống thấm nước cho nhiều loại vật liệu, tạo màng kính, v.v.

Dùng cho etching SiO₂, Si, thích hợp với quy trình chế tạo mạch tích hợp bán dẫn có cấu trúc vi mô

• Xử lý chống thấm bằng nguồn vật liệu rắn
• Tạo màng mỏng bằng nhựa trên bề mặt vật thể
• Giảm thiểu các tác động đến môi trường
• Có thể ứng dụng với nhiều loại nhựa khác nhau

Ví dụ, làm cho bề mặt Teflon trở nên ưa nước hoặc răng tính chống thấm nước của vải không dệt