- Nguồn cao tần RF
- Chân không
- Có thể dùng khí quy trình
- Chống dầu/vết bẩn (đang phát triển)
- Ưa dầu (đang phát triển)
- Khắc / Etching
- Kiểm tra độ bền plasma
- Tạo màng mỏng
- Xử lý kị nước
- Sơn phủ / Mạ
- Nuôi cấy tế bào / Y tế nha khoa
- Kết dính / Bám dính
- Làm sạch / Khử khuẩn
- Dành cho R&D
Thiết bị plasma etcher dòng CPE-B Series
Ứng dụng
• Làm ưa nước bề mặt Teflon (cần sử dụng khí NH₃)
• Xử lý chống thấm cho nhiều loại vật liệu (cần sử dụng khí CF₄)
• Etching màng silicon (cần sử dụng khí CF₄)
• Tạo màng kính (glass film) trên bề mặt vật liệu (cần sử dụng bình tạo khí hoá hơi – bubbler)
• Xử lý dụng cụ nuôi cấy tế bào
• Toàn bộ điều kiện vận hành được điều khiển thủ công, phù hợp với những nhà nghiên cứu có kinh nghiệm thao tác các thiết bị plasma
• Có thể tích hợp vào dây chuyền sản xuất, dễ kết hợp với các thiết bị hiện có giúp giảm chi phí và nâng cao hiệu suất
• Thiết kế tinh giản giúp tối ưu hoá sản xuất. Giá thành hợp lý hơn, giảm chi phí đầu tư
Thông số kỹ thuật - Mẫu máy CPE-100B
• Kích thước ngoài: Rộng 392 mm × Sâu 500 mm × Cao 1050 mm, không tính phần nhô ra khi đóng nắp
• Kích thước bệ mẫu: Đường kính 100 mm
• Điều chỉnh áp suất: Điều chỉnh thủ công bằng van xả và lưu lượng khí vào
• Đồng hồ đo áp suất chân không: Pirani (loại analog)
• Số lượng dòng khí: 1
• Nguồn điện: 1 pha 100 V, 15 A (50 Hz/60 Hz)
Thông số kỹ thuật - Mẫu máy CPE-1000B
• Kích thước ngoài: Rộng 1600 mm × Sâu 1600 mm × Cao 1100 mm, không tính phần nhô ra khi đóng nắp
• Kích thước bệ mẫu: Đường kính 1000 mm
• Điều chỉnh áp suất: Điều chỉnh thủ công bằng van xả và lưu lượng khí vào
• Đồng hồ đo áp suất chân không: Pirani (loại analog)
• Số lượng dòng khí: 1
• Nguồn điện: 1 pha 200 V, 30 A (50 Hz/60 Hz)
Ghi chú:
• Không bao gồm bơm hút chân không.
• Có thể tuỳ chỉnh thông số theo yêu cầu