Có thể dùng khí quy trình

Thiết bị sử dụng plasma trực tiếp bằng phóng điện hàng rào điện môi (DBD), có khả năng xử lý đồng thời hai lớp phim và thực hiện ép nhiệt ngay sau đó.

Thiết bị plasma CVD an toàn đầu tiên trong ngành, tạo màng trực tiếp từ nguyên liệu dạng lỏng.

Khắc khô các lớp SiO₂ (etching), Si và phân hủy (ashing) các hợp chất hữu cơ với tốc độ cao và hiệu quả cao nhờ chức năng gia nhiệt.

Tạo tính ưa nước cho PTFE (Teflon), xử lý chống thấm nước cho nhiều loại vật liệu, tạo màng kính, v.v.

• Tạo tính chống thấm cho nhiều loại vật liệu.
• Dùng cho vải, giấy để chống nước, chống bám bẩn, chống ẩm.
• Cũng thích hợp để chống nước cho các linh kiện điện tử.

Dùng cho etching SiO₂, Si, thích hợp với quy trình chế tạo mạch tích hợp bán dẫn có cấu trúc vi mô

• Thiết bị plasma chân không hỗ trợ nhiều loại khí quy trình.
• Cho phép thiết lập điều kiện xử lý một cách tinh chỉnh nhờ khả năng điều chỉnh lưu lượng khí, công suất phát plasma, và giám sát áp suất chân không.
• Vận hành đơn giản bằng một nút bấm, dễ dàng trang bị với chi phí phù hợp.
• Dùng để xử lý bề mặt trước khi tạo màng mỏng, xử lý trước khi hàn anod, xử lý trước khi sơn phủ, cũng như trong các ứng dụng sinh học và y tế.

• Xử lý chống thấm bằng nguồn vật liệu rắn
• Tạo màng mỏng bằng nhựa trên bề mặt vật thể
• Giảm thiểu các tác động đến môi trường
• Có thể ứng dụng với nhiều loại nhựa khác nhau

Ví dụ, làm cho bề mặt Teflon trở nên ưa nước hoặc răng tính chống thấm nước của vải không dệt

• Có thể xử lý số lượng mẫu lớn bằng hệ thống điện cực nhiều tầng.
• Có thể thay đổi cấu trúc điện cực để phù hợp với nhiều loại vật chứa khác nhau.
• Hỗ trợ vận hành nhờ chế độ tự động chỉ với 1 nút bấm
• Thiết kế hướng đến mục đích sản xuất.