- Chân không
- Không dùng khí quy trình
- Có thể dùng khí quy trình
- Tạo màng mỏng
- Xử lý kị nước
- Dành cho R&D
Thiết bị tạo màng mỏng bằng phương pháp bay hơi trực tiếp DH-CVD
Tổng quan sản phẩm
• Thiết bị tạo màng mỏng ứng dụng công nghệ DH-CVD độc quyền của Sakigake Semiconductor
• Có thể sử dụng vật liệu hữu cơ kim loại một cách an toàn mà không cần khí nguy hiểm
• Không cần thiết bị bay hơi chất lỏng hay thiết bị điều khiển lưu lượng, giúp tiết kiệm chi phí
• Dễ dàng tạo màng mỏng với thao tác đơn giản
• So với khí, nguyên liệu dạng lỏng dễ xử lý hơn
Thông số kỹ thuật
• Tên thiết bị: Thiết bị tạo màng mỏng bằng phương pháp bay hơi trực tiếp
• Mã sản phẩm: DH-CVD
• Kích thước ngoài: 560 mm (Rộng) × 560 mm (Sâu) × 400 mm (Cao)
• Bệ mẫu (điện cực): Thép không gỉ đường kính 400 mm (có thể thay đổi theo tùy chọn)
• Trọng lượng: 200 kg
• Phương thức phóng điện: Phóng điện AC giữa các bản điện cực song song
• Nguồn điện cao áp: Dòng xoay chiều (đồng bộ với tần số điện nguồn)
• Điều chỉnh công suất đầu ra: Điều chỉnh thủ công
• Khí đầu vào: Không sử dụng
• Điều chỉnh lưu lượng xả: Không có (có thể thêm tùy chọn)
• Đồng hồ đo chân không: Không có (có thể thêm tùy chọn)
• Hẹn giờ: Cài đặt thời gian chiếu plasma từ 0 đến 9999 giây
• Nguồn cấp: 1 pha 200 V, 15 A (50 Hz/60 Hz), đã bao gồm nguồn cho bơm chân không
Dung dịch tạo màng phim
• Dung dịch 1: Dung dịch tạo màng SiO₂
• Dung dịch 2: Dung dịch tạo màng hydrocarbon hoặc hydrocarbon chứa nguyên tố (có thể pha chế tùy theo yêu cầu)
• Dung dịch 3: Dung dịch tạo màng oxit kim loại (có thể pha chế tùy theo yêu cầu)