製品概要
■魁半導体独自の「DH-CVD」技術を応用した薄膜形成装置
■有機金属系の材料も危険なガスを使わず安全に使用可能
■液体気化装置、流量制御装置が不要なため低コスト
■簡便な操作で薄膜形成が可能
■ガスと比べて原料の取り扱いが容易
仕様（例）
装置名称 直接気化式-薄膜形成装置
型式 DH-CVD
外形寸法 560mm(W)×560mm(D)×400mm(H)
電極ステージ 直径400mmステンレス鋼製（オプションで変更可）
重量 200kg
放電方式 交流平行平板式
高圧電源 交流（電源周波数に同期）
出力調整 手動調節
ガス導入 なし
排気流量調節 なし（オプションで追加可）
真空計 なし（オプションで追加可）
タイマー 0～9999秒の間でプラズマ照射時間を設定
電源 単相200V,15A(50Hz/60Hz) ※ポンプ用電源を含む
成膜溶液
■配合液１ SiO2膜溶液
■配合液２ 炭素水素膜/含有元素選択炭水素膜用溶液（ご要望に合わせたカスタム配合）
■配合液３ 金属酸化膜用溶液（ご要望に合わせたカスタム配合）