- Nguồn cao tần RF
- Chân không
- Có thể dùng khí quy trình
- Chống dầu/vết bẩn (đang phát triển)
- Ưa dầu (đang phát triển)
- Khắc / Etching
- Kiểm tra độ bền plasma
- Tạo màng mỏng
- Xử lý kị nước
- Sơn phủ / Mạ
- Nuôi cấy tế bào / Y tế nha khoa
- Kết dính / Bám dính
- Làm sạch / Khử khuẩn
- Dành cho R&D
- Dành cho sản xuất
Thiết bị plasma etcher dòng CPE Series
Dùng cho etching SiO₂, Si, thích hợp với quy trình chế tạo mạch tích hợp bán dẫn có cấu trúc vi mô
Tổng quan sản phẩm
• Thiết kế nhỏ gọn
• Dễ vận hành
• Điều khiển thông qua màn hình cảm ứng, hỗ trợ chế độ tự động và thủ công
• Có thể thực hiện etching chính xác đối với các vật liệu vô cơ
Thông số kỹ thuật
• Tên thiết bị: Plasma etcher
• Mã sản phẩm: CPE-200 A
• Kích thước ngoài: Rộng 510 mm × Sâu 760 mm × Cao 1090 mm
• Kích thước điện cực (bệ mẫu): Đường kính 200 mm
• Điều chỉnh công suất đầu ra: Có
• Hệ thống khí: 1 dòng khí. Có tuỳ chọn mở rộng lên 2 dòng khí.
• Phương pháp điều khiển dòng khí: Sử dụng MFC (Mass flow controller)
• Điều chỉnh áp suất: Sử dụng van cơ
• Nguồn điện: AC 100 V, 15 A (50 Hz/60 Hz)