Présentation de la première nouvelle technologie CVD du secteur pour un dépôt de film sûr à l’aide de matériaux liquides. Le système de dépôt de couches minces par vaporisation directe, “DH-CVD”, devrait être commercialisé le 21 septembre.
Sakigake Semiconductor Co. (situé à Shimogyo-ku, Kyoto City, Kyoto Prefecture ; CEO : Koshi Taguchi), un développeur et vendeur d’équipement plasma, a été le pionnier d’une nouvelle technologie de dépôt de film basée sur le plasma. L’entreprise s’apprête à lancer un système de dépôt de couches minces par vaporisation directe, le “DH-CVD”, le 21 septembre 2022. Ce système introduit une nouvelle technologie pour le “plasma CVD”, une méthode de dépôt utilisée dans les processus de fabrication des semi-conducteurs. Contrairement aux méthodes conventionnelles qui utilisent des matières premières vaporisées, cette technologie utilise des matières premières liquides, ce qui la rend plus facile à gérer et permet une production plus sûre et plus efficace. Sakigake Semiconductor commercialisera également des solutions spécialement formulées pour être utilisées comme matières premières. Les résultats des recherches qui sous-tendent cette technologie seront présentés à la Société japonaise de physique appliquée le 23 septembre 2022.
■ Présentation de la première technologie sûre de dépôt en phase vapeur par plasma de l’industrie, qui dépose directement des films à partir de matériaux liquides
Dans l’industrie des semi-conducteurs, le dépôt chimique en phase vapeur par plasma est une méthode courante de dépôt de films. Traditionnellement, la matière première liquide du film est vaporisée à l’extérieur de la cuve de traitement avant d’être transformée en film par une réaction chimique induite par le plasma. Notre technologie innovante, le “Direct Vaporization-Type Thin Film Formation System DH-CVD”, élimine la nécessité d’un processus de vaporisation séparé. Au contraire, il fournit directement les matières premières au système plasmatique. Cette technologie tire parti de la volatilité des composants liquides, et nous proposons des compositions (solutions) contenant des polyols de type diol ou supérieur et la solution de matière première pour le film. Il s’agit d’une approche pionnière dans l’industrie, marquant la première application pratique d’une technologie CVD qui forme un film directement à partir d’une solution.
[Photo] Équipement de dépôt de couches minces par vaporisation directe “DH-CVD” (avec options)
[Membrane type]
・Membrane d’hydrocarbures
・Films hydrocarbonés contenant de l’oxygène et/ou de l’azote
・Oxyde métallique (y compris les composés) (Si, Ca, Al, Ti, Zr, etc.)
■Sécurité et amélioration de l’efficacité de la production
Dans le procédé CVD, souvent utilisé pour la production de cellules solaires pérovskites de nouvelle génération, les films sont généralement formés à l’aide de gaz organométalliques volatils. Cependant, ces matériaux organométalliques vaporisés sont difficiles à manipuler et présentent des risques pour la sécurité. Nos recherches ont conduit au développement d’une nouvelle technologie qui se concentre sur la volatilité des composants liquides, éliminant ainsi la nécessité d’un processus de vaporisation séparé. Cette avancée permet non seulement de renforcer la sécurité, mais aussi d’améliorer l’efficacité de la production. Cette avancée est particulièrement importante dans le contexte de la fabrication de cellules solaires en pérovskite, un domaine qui a récemment fait l’objet d’une attention considérable.
※ “CVD”, abréviation de “Chemical Vapor Deposition” (dépôt chimique en phase vapeur), est un processus crucial dans la production de substrats pour les circuits intégrés (IC) et les cellules solaires. Il s’agit de recouvrir les substrats d’une fine pellicule de silicium par une réaction chimique au cours du processus de fabrication. Cette méthode joue un rôle important dans l’industrie des semi-conducteurs, en particulier dans la fabrication des circuits intégrés et des cellules solaires.
■Présentation du produit
[Nom de l’équipement : Équipement de dépôt de couches minces par vaporisation directe (DH-CVD)
[Date of release] 21 septembre 2022 (mercredi)
[Price] Equipement : 5,9 millions de yens (taxes comprises)
※Le coût de nos solutions de dépôt peut varier en fonction de conditions spécifiques.
[Spécifications de l’équipement]
| modèle | Vaporisation directe – équipement de dépôt de couches minces (DH-CVD) |
| Bateau de traitement | Acier inoxydable, alliage d’aluminium, verre, PTFE |
| Méthode de décharge | Type de plaque parallèle AC |
| Etage de l’électrode | Acier inoxydable, diamètre 400 mm (peut être modifié en option) |
| Alimentation haute tension | AC (synchronisé avec la fréquence de l’alimentation) |
| Réglage de la sortie | Réglage manuel |
| Introduction du gaz | Aucun |
| Réglage du débit d’échappement | Aucun (peut être ajouté en option) |
| Jauge à vide | Aucun (peut être ajouté en option) |
| Minuterie | Régler le temps d’irradiation du plasma entre 0 et 9999 secondes |
| Dimensions extérieures | 560 mm (L) x 560 mm (P) x 400 mm (H) (environ, sans les parties saillantes) |
| Alimentation électrique | Alimentation électrique : Monophasé 200 V, 50 ou 60 Hz, 15 A (y compris l’alimentation de la pompe) |
[Solution de formation de film]
| Solution de formulation 1 | Solution de membrane SiO2 |
| Solution de formulation 2 |
Membrane pour hydrocarbures/Solution de membrane sélective pour hydrocarbures (personnalisée en fonction de votre demande) |
| Solution de formulation 3 | Solution pour le film d’oxyde métallique (personnalisée selon votre demande) |
■ La 83e réunion annuelle d’automne de la Société japonaise de physique appliquée (hybride) 2022
Dates : Du mardi 20 septembre au vendredi 23 septembre 2022
Lieu: [Local Venue] Université de Tohoku Campus Kawauchi-Kita / [Online Venue] Zoom
Conférencier de SAKIGAKE Semiconductor : 23 septembre, 9:15- (Conférence No. 23a-B101-2)
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