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真空プラズマ装置「プラズマエッチャー加熱機構付CPE-200AHM」9月2日新発売

加熱機構を搭載、処理効果2

プラズマエッチャー加熱機構付 CPE200AHM

202
92日発売



プラズマ装置
を開発販売する株式会社 魁半導体(京都府京都市下京区、代表取締役 田口貢士)は、

当社初の
加熱機構を搭載した真空プラズマ装置「プラズマエッチャー加熱機構付 CPE200AHM

開発、2021 9 2 発売します。基材を温めプラズマ照射することにより、従来比で

2倍の高い処理効果を実現しました



当社加熱機構を搭載

真空プラズマ
装置「プラズマエッチャー加熱機構付 CPE200AHM」は基材を設置するステージを

最高
400°Cまで加熱する機構を搭載し開発した製品ですプラズマ処理は基材に高いエネルギー照

射をすることにより洗浄や表面改質などの処理をする技術ですが、
基材を温めプラズマ処理する

とで、
基材によっては従来の約 2 倍の高い処理効果得ることができます。当社への受託処理

頼が増加している
ことから市場調査を行い、開発に至りました。

ステージサイズφ
200mmを基準に新製品郡「CPEAHMシリーズ」

として展開します。
用途例としては半導体製造工程のレジスト除去

の効率化や、
O リングなどのプラズマ耐久性評価試験での大幅な

間短縮
期待できます。

 

製品概要

[
] プラズマエッチャー加熱機構付 CPE200AHM

(右写真:外観)

[
発売日] 2021年

[
] プラズマ処理時間を大幅に短縮

・カスタム対応


[
] エッチング、プラズマ耐久性テスト

[
] ステージサイズφ2001,600万円(税別)

(※1)当社比較実験:アッシング実験結果

スライドガラス表面を油性ペンで塗
ったものを基材として実験。新製品「CPE200AHMを使用し

予めステージを
300°Cに加熱した場合と加熱しない場合それぞれプラズマ照射塗膜アッシング

除去
一定時間毎に重量を測定

[
結果] 30秒照射後の除去量(重量変化)は300°Cに加熱することで約2倍に増加

(重量変化が約
2.5mgで飽和しているのは、塗膜が除去され基材が露出た)

 

▶PDF資料:https://sakigakes.co.jp/cms/wp-content/uploads/2021/09/20210902NewsRelease_CPE-200AHM.pdf

▶真空プラズマ装置「プラズマエッチャー加熱機構付」製品紹介ページ:https://sakigakes.co.jp/products/cpe-200ahm/

▶お問い合わせはこちらから:https://sakigakes.co.jp/inquiry/