真空プラズマ装置「プラズマエッチャー加熱機構付CPE-200AHM」9月2日新発売

加熱機構を搭載、処理効果2倍

「プラズマエッチャー加熱機構付 CPE–200AHM」

202１年9月2日発売

プラズマ装置を開発販売する株式会社魁半導体（京都府京都市下京区、代表取締役田口貢士）は、

当社初の加熱機構を搭載した真空プラズマ装置「プラズマエッチャー加熱機構付 CPE–200AHM」

を開発、2021 年 9 月 2 日に新発売します。基材を温めてプラズマ照射することにより、従来比で

約２倍の高い処理効果を実現しました。

■当社初の加熱機構を搭載

真空プラズマ装置「プラズマエッチャー加熱機構付 CPE–200AHM」は基材を設置するステージを

最高 400°Cまで加熱する機構を搭載し開発した製品です。プラズマ処理は基材に高いエネルギー照

射をすることにより洗浄や表面改質などの処理をする技術ですが、基材を温めプラズマ処理するこ

とで、基材によっては従来の約 2 倍の高い処理効果を得ることができます。当社への受託処理の依

頼が増加していることから市場調査を行い、新開発に至りました。

ステージサイズφ200mmを基準に新製品郡「CPE–AHMシリーズ」

として展開します。用途例としては半導体製造工程のレジスト除去

の効率化や、O リングなどのプラズマ耐久性評価試験での大幅な時

間短縮が期待できます。

■製品概要

[名称] プラズマエッチャー加熱機構付 CPE–200AHM

（右写真：外観）

[発売日] ２０２１年９月２日

[特徴] ・プラズマ処理時間を大幅に短縮

・カスタム対応

[用途] エッチング、プラズマ耐久性テスト

[価格] ステージサイズφ200：1,600万円（税別）

（※１）当社比較実験：アッシング実験結果

スライドガラス表面を油性ペンで塗ったものを基材として実験。新製品「CPE–200AHM」を使用し

予めステージを300°Cに加熱した場合と加熱しない場合、それぞれプラズマ照射し塗膜をアッシング

除去し一定時間毎に重量を測定。

[結果] 30秒照射後の除去量（重量変化）は300°Cに加熱することで約２倍に増加。

（重量変化が約2.5mgで飽和しているのは、塗膜が除去され基材が露出した）

▶PDF資料：https://sakigakes.co.jp/cms/wp-content/uploads/2021/09/20210902NewsRelease_CPE-200AHM.pdf

▶真空プラズマ装置「プラズマエッチャー加熱機構付」製品紹介ページ：https://sakigakes.co.jp/products/cpe-200ahm/

▶お問い合わせはこちらから：https://sakigakes.co.jp/inquiry/